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刻蝕就是用化學(xué)的、物理的或同時(shí)使用化學(xué)和物理的方法，有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。簡(jiǎn)單點(diǎn)說就是通過刻蝕技術(shù)在薄膜上繪制不同的圖形，得到工藝要求的圖案。在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)。

刻蝕技術(shù)分為干法刻蝕和濕法刻蝕，濕法刻蝕主要是指化學(xué)刻蝕，干法刻蝕主要指等離子刻蝕和激光刻蝕。

濕法刻蝕

濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。這種刻蝕方法的優(yōu)點(diǎn)是適應(yīng)性強(qiáng)，均勻性較好，適合于大部分材料；缺點(diǎn)是圖形刻蝕保真較差，刻蝕線寬不均勻難以掌控，切刻蝕線寬無(wú)法做到精密，因此對(duì)于消費(fèi)電子領(lǐng)域精密度越來(lái)越高的要求下，逐漸被淘汰，被激光刻蝕所取代，但他價(jià)格相對(duì)便宜，適合于大批量生產(chǎn)，現(xiàn)在在光伏行業(yè)中仍然占有一定量的占有率。

干法刻蝕

1.等離子刻蝕

等離子刻蝕是指利用高頻輝光放電反應(yīng)，將反應(yīng)氣體激活成活性粒子，如源自或游離基，這些活性粒子擴(kuò)散到刻蝕的部位，在哪里與被刻蝕材料進(jìn)行反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成物而被去除，達(dá)到刻蝕的目的。等離子科室的特點(diǎn)是能像異性刻蝕，能夠保證細(xì)小圖形的保真性。缺點(diǎn)是刻蝕的精度不夠，且設(shè)備昂貴。

2.激光刻蝕

激光刻蝕是利用高能量激光光束照射到被刻蝕工件表面，使其融化、氣化，形成一定深度的凹槽，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料刻蝕的目的。激光刻蝕的特點(diǎn)是刻蝕良品率高、穩(wěn)定性高，靈活性好，可以實(shí)現(xiàn)不同圖形不同角度的一次性成型技術(shù)，且無(wú)耗材、無(wú)污染，成本低。相比較于濕法刻蝕，缺點(diǎn)是刻蝕速度比濕法刻蝕低，無(wú)法滿足超大批量的生產(chǎn)。因此在精度要求較低的行業(yè)中往往采用濕法刻蝕，在要求精度高的情況下往往都采用激光刻蝕手段。

激光刻蝕非常適合于消費(fèi)類電子行業(yè)的刻蝕手段，如觸摸屏行業(yè)的銀漿刻蝕、ITO薄膜刻蝕等。在一些光伏行業(yè)如鋁箔膜、銅薄膜的一些高端領(lǐng)域中激光刻蝕技術(shù)的應(yīng)用較為廣泛。

綜合比較結(jié)合市場(chǎng)實(shí)際情況來(lái)看，濕法刻蝕的市場(chǎng)正在一步步為激光刻蝕所取代，一方面是因?yàn)榧す饪涛g技術(shù)越來(lái)越成熟，價(jià)格越來(lái)越便宜，另一方面，激光刻蝕技術(shù)的加工精密度越來(lái)越高，可以做到15微米以內(nèi)，相比較而言激光刻蝕技術(shù)的優(yōu)勢(shì)就凸現(xiàn)出來(lái)。

推薦設(shè)備：導(dǎo)電玻璃激光刻蝕機(jī)